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FDS9933A
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- 此类 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9933A
- 商品编号
- C241823
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 当 VGS = -2.5 V 时,RDS(on) = 0.105 Ω
- -3.8 A、-20 V。当 VGS = -4.5 V 时,RDS(on) = 0.075 Ω
- 低栅极电荷(典型值为 7nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(on)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-负载开关-DC/DC 转换器-电机驱动器