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NTD4860NT4G
1个N沟道 耐压:25V 电流:65A
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- 描述
- 特性：沟槽技术，低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些是无铅器件。应用：VCORE应用。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4860NT4G
- 商品编号
- C242292
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.308nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 169pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽技术
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些是无铅器件
应用领域
- 核心电压（VCORE）应用
- 直流-直流转换器
- 高端/低端开关