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FDPF10N50FT
1个N沟道 耐压:500V 电流:9A
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- 描述
- UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET产品系列。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。通过寿命控制技术，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了提升
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF10N50FT
- 商品编号
- C243060
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是仙童半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制技术，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其反向恢复时间（trr）小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以减少额外元件的使用，提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.5 A条件下,RDS(on) = 710 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值10 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源