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FQP10N20C
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.5A
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- 描述
- 9.5 A、200 V，RDS(导通)=360 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.75 A 低栅极电荷（典型值 20 nC）
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP10N20C
- 商品编号
- C243073
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
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