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FDD8447L
1个N沟道 耐压:40V 电流:57A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力，为应用带来卓越性能优势。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8447L
- 商品编号
- C247783
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.97nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷和极低的漏源导通电阻进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为36 A时，最大漏源导通电阻为0.99 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为32 A时，最大漏源导通电阻为1.55 mΩ
- 采用先进的封装和硅片组合，实现低漏源导通电阻和高效率
- 采用MSL1坚固封装设计
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 防反灌MOSFET
- 同步整流器