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BSS138K
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
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- 描述
- N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS138K
- 商品编号
- C255592
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 58pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 无铅/符合RoHS标准
- 环保材料
- 按照JEDEC A114A标准，静电放电人体模型（ESD HBM）为2000 V；按照JEDEC C101C标准，静电放电带电器件模型（ESD CDM）为2000 V