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FDMA2002NZ
2个N沟道 耐压:30V 电流:2.9A
- 描述
- 此器件专门设计用作蜂窝手持机和其他超便携应用中双开关要求的单封装方案。它具有两个独立的 N 沟道 MOSFET，且都具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。就其物理尺寸而言，MicroFET 2x2 具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA2002NZ
- 商品编号
- C258214
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 163mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用专有PowerTrench®技术制造，可实现低漏源导通电阻（r_DS(on)）和优化的漏源击穿电压（BV_DSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 2.9 A、30 V,RDS(ON) = 123 m Ω(VGS = 4.5 V时)
- RDS(ON) = 140 m Ω(VGS = 3.0 V时)
- RDS(ON) = 163 m Ω(VGS = 2.5 V时)
- 采用新型MicroFET 2x2 mm封装,高度低至最大0.8 mm
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级为1.8 kV
- 符合RoHS标准
- 不含卤化化合物和氧化锑
应用领域
- 蜂窝手机
- 其他超便携式应用
- 线性模式应用