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FDD9409-F085

N沟道 耐压:40V 电流:90A

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描述
特性：典型RDS(on) = 2.3mΩ，VGS = 10V，ID = 80A。 典型Qg(tot) = 42nC，VGS = 10V，ID = 80A。 UIS能力。 RoHS合规。 符合AEC Q101标准。应用：汽车发动机控制。 动力系统管理
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD9409-F085
商品编号
C258219
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.516667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)3.13nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)756pF

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