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IRFM120ATF
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.3A
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- 描述
- 特性：IEEE802.3af兼容。 雪崩耐用技术。 耐用栅极氧化层技术。 较低的输入电容。 改善的栅极电荷。 扩展的安全工作区。 较低的漏电流：最大10μA，VDS = 100V时。 较低的RDS(ON)：典型值0.155Ω
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFM120ATF
- 商品编号
- C258216
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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