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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD3682

N沟道,电流:32A,耐压:100V

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描述
N沟道 100V 32A
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD3682
商品编号
C258218
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)95W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.25nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)190pF

商品特性

  • 导通电阻 rDS(ON) = 32 mΩ(典型值),栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 32 A
  • 总栅极电荷 Qg(tot) = 18.5 nC(典型值),栅源电压 VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 具备非钳位感性负载开关能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源
  • 分布式电源架构和电压调节模块
  • 24V 和 48V 系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V 汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF