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NTNS3164NZT5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:361mA
- 描述
- 小信号 MOSFET 20V 245mA 1.5 Ω 单 N 沟道 SOT883，带 ESD 保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS3164NZT5G
- 商品编号
- C260430
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 361mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 217mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品特性
- 单N沟道MOSFET
- 超薄型SOT - 883 (XDFN3)封装,尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4 mm,适用于便携式电子产品等超薄环境
- 超小1.0 x 0.6 mm封装下的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 1.5 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-高端开关-高速接口-电平转换-专为超便携式解决方案中的电源管理优化
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