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2N7002KW
1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小型表面贴装封装。 这些器件无铅且符合RoHS标准。 按照JESD22 A114，静电放电人体模型（HBM）为1000V。 按照JESD22 C101，静电放电带电器件模型（CDM）为1500V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7002KW
- 商品编号
- C266797
- 商品封装
- SC-70
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小表面贴装封装
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- 依据 JESD22 A114，静电放电人体模型（ESD HBM）为 1000 V；依据 JESD22 C101，静电放电带电器件模型（ESD CDM）为 1500 V