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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款P沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺可将导通电阻降至最低,提供坚固可靠的性能和快速开关能力。BSS84能轻松用于大多数需要高达0.13 A直流电流的应用,且可提供高达0.52 A的电流。该产品特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- 0.13 A,-50 V,VGS = -5 V时RDS(ON) = 10 Ω
- 电压控制P沟道小信号开关
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高饱和电流