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BSS84
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
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- 描述
- 此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C266796
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1000uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
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