温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
H11G1M
DC输入 隔离电压(rms):4170V
- 描述
- H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- H11G1M
- 商品编号
- C258236
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 输出电流 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV@1mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 5% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 85% |
商品概述
H11G1M和H11G2M是光电达林顿型光耦合器。这些器件包含一个砷化镓红外发光二极管，与一个硅达林顿连接的光电晶体管耦合，该光电晶体管带有一个集成基极 - 发射极电阻，用于优化高温特性。
商品特性
- 高BVCEO：H11G1M最小为 - 100 V；H11G2M最小为 - 80 V
- 对低输入电流具有高灵敏度（在lF = 1 mA时，最小电流传输比（CTR）为500%）
- 高温下漏电流低（在80℃时，最大为100 μA）
- 安全和法规认证：UL1577，4170 VAC RMS，持续1分钟；DIN - EN/IEC60747 - 5 - 5，峰值工作绝缘电压850 V
应用领域
- CMOS逻辑接口
- 电话振铃检测器
- 低输入TTL接口
- 电源隔离
- 替代脉冲变压器
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单