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FQT1N60CTF-WS
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.2A 停产
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT1N60CTF-WS
- 商品编号
- C258152
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 0.2 A、600 V,RDS(on) = 9.3 Ω(典型值)@ VGS = 10 V、ID = 0.1 A
- 低栅极电荷(典型值4.8 nC)
- 低C\textrss(典型值3.5 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器