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2N7000-D26Z
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- 该款N沟道小信号MOSFET采用安森美专有的高单元密度DMOS技术生产，旨在最大程度减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速的开关性能表现。它们可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流，尤其适合低电压、低电流应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2N7000-D26Z
- 商品编号
- C258193
- 商品封装
- TO-92-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度的DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400 mA直流电流的应用，并且能够提供高达2 A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 其他开关应用