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FDG6321C
N沟道+P沟道 耐压:25V 电流:0.5A
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- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG6321C
- 商品编号
- C258213
- 商品封装
- SC-88(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。该器件专为替代双极型数字晶体管和小信号MOSFET而设计，适用于低电压应用。由于无需偏置电阻，这款双数字FET可替代多种不同偏置电阻值的数字晶体管。
商品特性
- N沟道:0.50 A,25 V
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.45 Ω
- 当VGS = 2.7 V时,RDS(ON) = 0.60 Ω
- P沟道:-0.41 A,-25 V
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 1.1 Ω
- 当VGS = -2.7 V时,RDS(ON) = 1.5 Ω
- 超小封装尺寸:SC70 - 6
- 极低的栅极驱动要求,可在3 V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5 V)
- 栅源齐纳二极管,具备出色的ESD耐受性(人体模型> 6 kV)
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准