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FDG1024NZ
2个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 此双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG1024NZ
- 商品编号
- C258210
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 1.2 A 时,最大 rDS(on) = 175 m Ω
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 1.0 A 时,最大 rDS(on) = 215 m Ω
- 在 VGS = 1.8 V、ID = 0.9 A 时,最大 rDS(on) = 270 m Ω
- 在 VGS = 1.5 V、ID = 0.8 A 时,最大 rDS(on) = 389 m Ω
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >2 kV
- 极低的栅极驱动要求,允许在 1.5 V 电路中工作(VGS(th)<1 V)
- 超小封装外形:SC - 88/SC - 70 6引脚
- 符合RoHS标准
- 该器件无卤素
应用领域
- 高频开关电源
- 电子镇流器
- UPS电源
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- UPS