温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS7650
N沟道 MOSFET,电流:267A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷和极低 RDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7650
- 商品编号
- C255598
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 267A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 209nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.965nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.055nF |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 36 A 时,最大 rDS(on) = 0.99 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 32 A 时,最大 rDS(on) = 1.55 m Ω
- 采用先进的封装和硅片组合,实现低RDS(ON)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%通过UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门二极管(OringFET)
- 同步整流器