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FDN308P
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的功率管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN308P
- 商品编号
- C255599
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 341pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 采用了飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺的耐用栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -20 V，-1.5 A。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 125 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 190 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT -3 在相同封装尺寸下，与 SOT23 相比，可实现更低的 RDS(ON)，且功率处理能力提高 30%
应用领域
- 电源管理-负载开关-电池保护