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FDMS3660S
双N沟道,电流:30A,耐压:30V
- 描述
- 此器件在一个双 PQFN 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3660S
- 商品编号
- C255597
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.493nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.22nF |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步整流MOSFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 30 A时，最大rDS(on) = 1.8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 27 A时，最大rDS(on) = 2.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore