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FDMC8200
2个N沟道 耐压:30V 电流:46A
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- 描述
- 此器件在一个双 Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8200
- 商品编号
- C255595
- 商品封装
- Power-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件在双功率33（3mm X 3mm MLP）封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）旨在提供最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 6 A时，最大rDS（on） = 20 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 5 A时，最大rDS（on） = 32 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 8.5 A时，最大rDS（on） = 10 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 7.2 A时，最大rDS（on） = 13.5 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 移动计算
- 移动互联网设备
- 通用负载点