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FQP13N10
N沟道, 电流:12.8A, 耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP13N10
- 商品编号
- C243077
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 12.8 A、100 V，RDS(on) = 180 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 6.4 A
- 低栅极电荷（典型值12 nC）
- 低Crss（典型值20 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用