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FQP4N20L
N沟道MOSFET,电流:3.8A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP4N20L
- 商品编号
- C243091
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条状DMOS技术制造。这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲而设计。这些器件非常适合用于高效开关型DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 3.8 A、200 V，VGS = 10 V、ID = 1.9 A时，RDS(on) = 1.35 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值4.0 nC）
- 低Crss（典型值6.0 pF）
- 100%经过雪崩测试