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FQPF10N20C
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF10N20C
- 商品编号
- C243100
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 9.5 A、200 V,RDS(on) = 360 m Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 4.75 A
- 低栅极电荷(典型值20 nC)
- 低Crss(典型值40.5 pF)
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器