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FQD3P50TM
1个P沟道 耐压:500V 电流:2.1A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD3P50TM
- 商品编号
- C246440
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，旨在降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 2.1 A,-500 V,VGS = -10 V、ID = -1.05 A时,RDS(on) = 4.9 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低Crss(典型值9.5 pF)
- 100%雪崩测试
- D-PAK(TO252)
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器
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