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FQPF30N06L
N沟道 耐压:60V 电流:22.5A
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- 描述
- 这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用仙童半导体公司专有的平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF30N06L
- 商品编号
- C243110
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 22.5 A、60 V,RDS(on) = 35 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V、ID = 11.3 A
- 低栅极电荷(典型值15 nC)
- 低Crss(典型值50 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
- TO - 220F
应用领域
-开关电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用