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FDPF3860T
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF3860T
- 商品编号
- C243063
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5.9 A条件下，RDS(on) = 29.1 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器-LCD/LED/PDP电视-同步整流-不间断电源-微型太阳能逆变器