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FDPF14N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:14A
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- 描述
- UniFETTM MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF14N30
- 商品编号
- C243062
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 7 A 条件下,RDS(on) = 290 m Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值18 nC)
- 低 Crss(典型值17 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
-等离子电视-不间断电源