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DTC144EET1G

数字晶体管(BRT),带单片偏置电阻网络的NPN晶体管

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描述
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
DTC144EET1G
商品编号
C242410
商品封装
SC-75(SOT-416)​
包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)80@5mA,10V
属性参数值
最小输入电压(VI(on))3V@2.0mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))800mV@100uA,5.0V
输出电压(VO(on))-
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV@300uA,10mA

商品概述

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,从而省去了它们。使用BRT可以降低系统成本并减少电路板空间。

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间
  • 减少元件数量
  • 适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

数据手册PDF