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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDP8870

1个N沟道 耐压:30V 电流:156A

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描述
N沟道
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP8870
商品编号
C243056
商品封装
ITO-220AB-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)156A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)106nC@10V
输入电容(Ciss)5.2nF
反向传输电容(Crss)570pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)970pF

商品特性

  • 导通状态下的漏源电阻 RDS(on) = 25 mΩ(典型值),条件为栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 41 A
  • 总栅极电荷 Q_G(tot) = 28 nC(典型值),条件为栅源电压 VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷 Q_rr 的体二极管
  • 在高频下具有优化的效率
  • 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力

应用领域

  • 消费电器
  • 同步整流
  • 电池保护电路
  • 电机驱动和不间断电源
  • 微型太阳能逆变器

数据手册PDF