温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP75N08A
N沟道,电流:75A,耐压:75V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N 沟道 75V 75A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP75N08A
- 商品编号
- C243053
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 137W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 959pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 75 A、75 V,VGS = 10 V时,RDS(on) = 11 mΩ
- 低栅极电荷(典型值145 nC)
- 低Crss(典型值86 pF)
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源转换器
- 功率因数校正(PFC)
- 平板显示器(FPD)电视电源
- ATX
- 电子灯镇流器