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FDP8441
N沟道,电流:80A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP8441
- 商品编号
- C243054
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 685pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(on)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 35 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 4.0 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V、漏极电流（ID）= 35 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 5.5 mΩ
- 低栅极电荷：VGS = 10 V时的栅极电荷（Qg(10)）= 52 nC（典型值）
- 低栅极电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
- 中间总线架构的VRM