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FDP8447L
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP8447L
- 商品编号
- C243055
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术制造，可实现低导通电阻（rDS(on)）和优化的击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 8.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 11.2 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器-电源