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FDP3682
1个N沟道 耐压:100V 电流:32A
- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，32 A，36 mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP3682
- 商品编号
- C243049
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺，具有坚固的栅极结构。它针对需要广泛栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = - 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 200毫欧
- -3.4A，-30V；栅源电压（VGS） = - 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 130毫欧
- 低栅极电荷（典型值2.4nC）
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护