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FDP3672

N沟道,电流:41A,耐压:105V

描述
N 沟道,PowerTrench MOSFET,105V,41A,33mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP3672
商品编号
C243048
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)105V
连续漏极电流(Id)41A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@10V
耗散功率(Pd)135W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.67nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)240pF

商品特性

  • 导通状态下的漏源电阻RDS(on) = 6.1 mΩ(典型值),条件为栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 80 A
  • 总栅极电荷Qg(tot) = 51 nC(典型值),条件为栅源电压VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷Qrr的体二极管
  • 具有单脉冲和重复脉冲的非钳位感性负载开关(UIS)能力

应用领域

  • 用于ATX/服务器/电信电源的同步整流
  • 电池保护电路
  • 电机驱动器和不间断电源

数据手册PDF