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FDP12N50
N沟道,电流:11.5A,耐压:500V
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP12N50
- 商品编号
- C243043
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 6 A时，RDS(ON) = 550 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值22 nC）
- 低Crss（典型值11 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 不间断电源