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FDS9934C
双通道N沟道和P沟道MOSFET,电流:6.5A,耐压:20V
- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9934C
- 商品编号
- C241824
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
交货周期
订货69-71个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 10000 个)个
起订量：10000 个2500个/圆盘
总价金额：
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