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FQD8P10TM
1个P沟道 耐压:100V 电流:6.6A
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描述
此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQD8P10TM商品编号
C241842商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 530mΩ@3.3A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.5W；44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 470pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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