温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA12DP-T1-GE3
N沟道 MOSFET,电流:60A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：高功率密度DC/DC。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA12DP-T1-GE3
- 商品编号
- C241863
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块（VRMs）和嵌入式DC/DC
相似推荐
其他推荐