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SIHG30N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:29A
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- 描述
- 特性：低品质因数（FOM）Ron × Qg。低输入电容（Ciss）。降低开关和传导损耗。超低栅极电荷（Qg）。雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。开关模式电源（SIMPS）
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG30N60E-GE3
- 商品编号
- C241864
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138pF |
商品概述
FDMS0312AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 18 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.0 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 16 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 6.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流
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