温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4455DY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:150V 电流:2.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：中间DC/DC电源中的有源钳位。 照明应用的H桥高端开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4455DY-T1-GE3
- 商品编号
- C241861
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 315mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 中间级直流/直流电源中的有源钳位
- 照明应用中的H桥高端开关