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FDS8958B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.4A
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- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8958B
- 商品编号
- C241821
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低线路功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 6.4 A时，最大rDS(on) = 26 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.2 A时，最大rDS(on) = 39 mΩ
- Q2：P沟道
- 在VGS = -10 V、ID = -4.5 A时，最大rDS(on) = 51 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.3 A时，最大rDS(on) = 80 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级 >3.5 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换
- 背光单元（BLU）和电机驱动逆变器