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FDS5351
1个N沟道 耐压:60V 电流:6.1A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS5351
- 商品编号
- C241809
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在保持出色开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.1 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 42 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关