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FDN337N
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.2A
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- 描述
- SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN337N
- 商品编号
- C241805
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V；70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
SUPERSOT -3 N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路等低电压应用，在这些应用中，超小外形表面贴装封装需要快速开关和低在线功率损耗。
商品特性
- 2.2 A，30 V
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(导通) = 0.065 Ω
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(导通) = 0.082 Ω
- 采用专有SUPERSOT -3设计的行业标准外形SOT -23表面贴装封装，具备卓越的热性能和电气性能
- 高密度单元设计，实现极低的RDS(导通)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 该器件无铅且无卤
应用领域
- 笔记本电脑
- 便携式电话
- PCMCIA卡
- 其他电池供电电路