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FDN335N
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.7A
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- 描述
- 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN335N
- 商品编号
- C241804
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 1.7 A、20 V。VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 0.07 Ω
- VGS = 2.5 V 时，RDS(ON) = 0.100 Ω
- 低栅极电荷（典型值 3.5nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC 转换器
- 负载开关