温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN342P
P沟道,电流:-2A,耐压:-20V
- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN342P
- 商品编号
- C241806
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
这款P沟道2.5V特定MOSFET采用先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本制造。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 2 A，-20 V。VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.08 Ω
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 0.13 Ω
- 坚固的栅极额定值（±12V）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 增强型功率SuperSOT-3（SOT-23）封装
应用领域
- 负载开关-电池保护-电源管理