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FDS4897C
双N/P沟道,电流:6.2A,耐压:40V
- 描述
- 此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4897C
- 商品编号
- C241808
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- Q1：N 沟道
- 6.2 A、40 V，VGS = 10 V 时，RDS(on) = 29 mΩ
- VGS = 4.5 V 时，RDS(on) = 36 mΩ
- Q2：P 沟道
- -4.4 A、-40 V，VGS = -10 V 时，RDS(on) = 46 mΩ
- VGS = -4.5 V 时，RDS(on) = 63 mΩ
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率处理能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 逆变器
- 电源