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FDMS0312AS
N沟道,电流:22A,耐压:30V
- 描述
- FDMS0312AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0312AS
- 商品编号
- C241801
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品概述
FDMS0312AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步,在保持出色开关性能的同时,实现最低的RDS(ON)。该器件还具备高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 18 A 时,最大 rDS(on) = 5.0 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 16 A 时,最大 rDS(on) = 6.2 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- 同步场效应管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-DC/DC 转换器的同步整流器-笔记本电脑 Vcore/GPU 低端开关-网络负载点低端开关-电信二次侧整流