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FDD6612A
N沟道,电流:30A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6612A
- 商品编号
- C241781
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
3400L采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于各种应用。
商品特性
- 30 A、30 V,RDS(ON) = 20 m Ω(VGS = 10 V 时)
- R D S (ON) = 28 m Ω(V G S = 4.5 V 时)
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器